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DMT3002LPS-13  与  BSC016N03MS G  区别

型号 DMT3002LPS-13 BSC016N03MS G
唯样编号 A-DMT3002LPS-13 A-BSC016N03MS G
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.6mΩ@25A,10V 1.6mΩ
漏源极电压Vds 30V 30V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 1.2W(Ta),136W(Tc) 2.5W
栅极电压Vgs ±16V 16V
典型关闭延迟时间 - 42ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN -
连续漏极电流Id 100A(Tc) 28A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
系列 汽车级,AEC-Q101 OptiMOS3M
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
长度 - 5.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 16ns
典型接通延迟时间 - 31ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5000pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 77nC @ 10V -
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT3002LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 100A(Tc) ±16V 1.2W(Ta),136W(Tc) 1.6mΩ@25A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerTDFN 车规

暂无价格 0 当前型号
BSC016N03MSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC016N03MS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

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BSC0500NSIATMA1_30V 100A SuperSO8 1.7mΩ -55.0°C N-Channel 1.2V,2V

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